JIS C 8960:2012 太陽光発電用語

                                                                                   C 8960 : 2012

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 用語の分類・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[2]

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――――― [JIS C 8960 pdf 1] ―――――

C 8960 : 2012

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,一般社団法人日本
電機工業会(JEMA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を改正すべきとの申出があり,日本工業
標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)である。これによって,JIS C 8960:2004
は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

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――――― [JIS C 8960 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 8960 : 2012

太陽光発電用語

Glossary of terms for photovoltaic power generation

序文

  この規格は,1997年に制定され,その後2回の改正を経て今日に至っている。前回の改正は2004年に
行われたが,その後の関連JISにおける追加用語に対応するために改正した。
  なお,類似のIEC規格からの用語を取り込むために,IEC/TS 61836も参考として作成した。

1 適用範囲

  この規格は,太陽光発電(PV)に用いる素子,機器及びシステムに関する用語について規定する。

2 用語の分類

  用語は,次のとおり分類する。
a) 素子
  1) 基本
  1.1) 一般
  1.2) 気象など
  2) 素子
  2.1) 一般
  2.2) 材料
  2.3) 構成
  2.4) 種類
  2.5) 製造
  3) 特性・評価
  3.1) セル・モジュール特性
  3.2) 日射
  3.3) 評価法
  3.4) 評価機器
b) 機器
  1) パワーコンディショナ
  1.1) 構成
  1.2) インバータ種別
  1.3) 特性・性能
  2) 蓄電池

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2
C 8960 : 2012
  2.1) 一般
  2.2) 特性・試験
  3) 評価機器
  4) その他機器
c) システム
  1) システムの分類
  2) アレイ
  3) 連系
  4) 特性・性能

3 用語及び定義

  用語及び定義は,次による。
  なお,参考のために慣用語及び対応英語を示す。また,用語欄で,用語の下の括弧付きの平仮名は,読
み方を示す。定義欄で,括弧付きで示した用語又は文章は,別の表現又は補足説明である。記号は,定義
欄に改行して示す。単位も定義欄に改行して示す。対応英語欄で,括弧付きの語は,対応英語の略号を示
す。また,IEC/TS 61836にある用語(対応英語)は太字で示す。
a) 素子
  1) 基本
  1.1) 一般
 番号        用語                     定義                                参考
                                                                慣用語            対応英語
 101  アクセプタ        多数キャリアとして正孔を供給するため                acceptor
                        の微量添加物。シリコン太陽電池の場合,
                        ボロンなどがある。
 102  禁制帯幅                                                               energy gap,
                                                          エネルギーギャップ,
                        半導体のエネルギーバンド中で電子が取
                                                          バンドギャップ
                        り得ない,エネルギー準位における帯状                 band gap
                        範囲の幅。
 103  空乏層            太陽電池セルのp形層とn形層との界面                  depletion layer
                        で発生する,電界のある非常に薄い領域。
 104  シート抵抗        正方形薄膜の一辺から対辺までの電気抵                sheet resistance
                        抗。太陽電池セルの表面層のシート抵抗
                        は,直列抵抗を決める重要な因子の一つ
                        である。
                            単位 : Ω/□
 105  障壁エネルギー    空乏層を通り抜けるとき,一つの電子が                barrier energy
                        放出するエネルギー。これはバリアの静
                        電電位の大きさである。
                            単位 : eV
 106  接合              半導体材料の接する部分。一般に,互い                junction
                        に異なる物性の半導体同士を合わせる。
 107  太陽エネルギー                                      太陽放射エネルギー
                        太陽の放射エネルギー。太陽エネルギー                solar energy
                        の源は水素の核融合反応であり,その放
                        射スペクトルは約6 000 Kの黒体のそれ
                        に近い。

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                                                                                   C 8960 : 2012
 番号        用語                     定義                                参考
                                                                慣用語            対応英語
 108   太陽光発電                                         PV
                        太陽光のエネルギーを直接電気エネルギ                photovoltaic power
      (たいようこうはつーに変換する発電方式。光起電力効果を                  generation
       でん),         利用した太陽電池を用いるのが一般的で
      (たいようひかりはある。
       つでん)
 109  太陽電池          太陽光などの光の照射を受けてそのエネ                cell,
                        ルギーを直接電気エネルギーに変える半                photovoltaic cell
                        導体装置。光起電力効果を利用した光電
                        変換素子の一種。太陽電池セル,太陽電
                        池モジュール,太陽電池パネル,太陽電
                        池アレイなどの総称として用いる場合も
                        ある。
 110  ドーパント        p形又はn形半導体を決定する微量添加                  dopant
                        不純物。
 111  ドナー            多数キャリアとして電子を供給するため                donor
                        の微量添加物。シリコン太陽電池の場合,
                        リンなどがある。
 112  半導体材料        金属と絶縁体との間の導電率(電気伝導                semiconductor
                        度)をもち,その導電率が不純物の添加                  material
                        及び少しのエネルギーの付与(例えば,
                        熱)によって変化する材料。
 113  pin接合           少数キャリアの再結合を減少させるため                PIN junction
                        にp形層とn形層との間に非ドープ層(i
                        形層)を設けた構造の接合。アモルファ
                        スシリコン太陽電池において,広く用い
                        られている。
 114  pn接合            連続体である半導体において,一方がp                 PN junction,
                        形,他方がn形の構造をもつ半導体の接                 cell junction
                        合。
 115  光起電力効果      光電効果の一種で,光の照射によって起                photovoltaic effect
                        電力が発生する現象。主に半導体の接合
                        で生じる。
 116  光起電力材料      光起電力効果をもつ材料。                            photovoltaic material
 117  光起電力デバイス  光起電力効果を利用するデバイス。例え                photovoltaic device
                        ば,太陽電池セル,モジュール及びアレ
                        イ。
 118  光電流            光を照射することによって光電変換素子                photovoltaic current,
                        の中で生成する電流。                                photo current
 119  へテロ接合        禁制帯幅の異なった2種類の半導体の接                 heterojunction
                        合。
 120  ホモ接合          同じ半導体材料(同じ禁制帯幅をもつ)                homojunction
                        によって形成されるpn接合。

――――― [JIS C 8960 pdf 5] ―――――

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