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JIS C 61340-3-1:2010 規格概要
この規格 C61340-3-1は、人体モデル(HBM)に対する静電気放電(ESD)を再現するのに使う放電電流波形及びその波形を作り出し確認するために使う装置への基本的な要求事項について規定。
JISC61340-3-1 規格全文情報
- 規格番号
- JIS C61340-3-1
- 規格名称
- 静電気―第3-1部 : 静電気の影響をシミュレーションする方法―人体モデル(HBM)の静電気放電試験波形
- 規格名称英語訳
- Electrostatics -- Part 3-1:Methods for simulation of electrostatic effects -- Human body model (HBM) electrostatic discharge test waveforms
- 制定年月日
- 2006年4月20日
- 最新改正日
- 2019年10月21日
- JIS 閲覧
- ‐
- 対応国際規格
ISO
- IEC 61340-3-1:2006(IDT)
- 国際規格分類
ICS
- 17.220.99, 29.020
- 主務大臣
- 経済産業
- JISハンドブック
- 電子 I 2020, 電子 II-1 2020, 電子 II-2 2020, 電子 III-1 2020, 電子 III-2 2020
- 改訂:履歴
- 2006-04-20 制定日, 2010-02-22 改正日, 2014-10-20 確認日, 2019-10-21 確認
- ページ
- JIS C 61340-3-1:2010 PDF [8]
C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)
pdf 目 次
ページ
- 序文・・・・[1]
- 1 適用範囲・・・・[1]
- 2 用語及び定義・・・・[1]
- 3 試験装置・・・・[2]
- 3.1 HBM ESD電流波形発生装置・・・・[2]
- 3.2 電流波形校正装置・・・・[2]
- 4 HBM電流波形への要求事項・・・・[3]
- 4.1 一般的事項・・・・[3]
- 4.2 電流波形の確認と校正・・・・[3]
- 5 供試品のESD耐圧評価・・・・[5]
- 5.1 一般事項・・・・[5]
- 5.2 電気端子をもつ供試品の評価・・・・[5]
- 5.3 電気端子をもたない供試品の評価・・・・[5]
- 6 試験手順・・・・[6]
- 7 判定基準・・・・[6]
- 8 HBMのESD耐性分類・・・・[6]
(pdf 一覧ページ番号 1)
――――― [JIS C 61340-3-1 pdf 1] ―――――
C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)
まえがき
この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,財団法人日本電子
部品信頼性センター (RCJ) 及び財団法人日本規格協会 (JSA) から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)
を改正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)
である。これによって,JIS C 61340-3-1 : 2006は改正され,この規格に置き換えられた。
この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許
権,出願公開後の特許出願,実用新案権及び出願公開後の実用新案登録出願にかかわる確認について,責
任はもたない。
(pdf 一覧ページ番号 2)
――――― [JIS C 61340-3-1 pdf 2] ―――――
日本工業規格(日本産業規格) JIS
C 61340-3-1 : 2010
(IEC 61340-3-1 : 2006)
静電気−第3-1部 : 静電気の影響をシミュレーションする方法−人体モデル (HBM) の静電気放電試験波形
Electrostatics-Part 3-1 : Methods for simulation of electrostatic effects-Human body model (HBM) lectrostatic discharge test waveforms
序文
この規格は,2006年に第2版として発行されたIEC 61340-3-1を基に,技術的内容及び構成を変更する
ことなく作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
なお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。
1 適用範囲
この規格は,人体モデル(以下,HBMという。)に対する静電気放電(以下,ESDという。)を再現す
るのに使う放電電流波形及びその波形を作り出し確認するために使う装置への基本的な要求事項について
規定する。
この規格は,一般的な試験方法における使用,並びにESD耐性試験又は性能評価目的で材料若しくは物
質,電子部品及びその他の静電気対策部材に応用するためのHBMに対するESDの電流波形に適用できる。
単体で取り扱う半導体デバイスのHBMに対するESDの電流波形は,IEC 60749-26を参照する。
この規格で規定する電流波形は,電磁両立性 (EMC) のための動作中の電子システムのテスト(JIS C
61000-4-2参照)には適用しない。
注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
IEC 61340-3-1 : 2006,Electrostatics−Part 3-1 : Methods for simulation of electrostatic effects−
Human body model (HBM) lectrostatic discharge test waveforms (IDT)
なお,対応の程度を表す記号 “IDT” は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“一致している”こ
とを示す。
2 用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。
2.1
供試品,UUT (unit under test)
HBMに対するESD試験の対象となる材料,物質,アイテム又は製品。
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2
C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)
2.2
供試品不良 (UUT failure)
ESD試験の結果,供試品が規定の特性値(パラメータ)に適合しなくなった状態。
2.3
ESD耐圧 (ESD withstand voltage)
供試品不良を発生させない最大ESD電圧。
3 試験装置
3.1 HBM ESD電流波形発生装置
HBM ESD電流波形発生装置は,供試品へ付加するHBMに対するESD事象を模擬する電流波形を作り
出す。HBM ESD電流波形発生装置の等価回路及び校正用負荷を,図1に示す。
記号
1 HBM ESD電流波形発生装置(公称値 : 100 pF / 1.5 kΩ)
2 端子A 3 スイッチ 4 端子B
5 供試品 6 校正用負荷 7 短絡線
8 抵抗器 R=500 Ω 9 電流トランスデューサ
各機器は,次による。
a) 波形校正用負荷(7及び8)は,3.2.3に規定する。
b) 電流トランスデューサ (9) は,3.2.4に規定する。
c) 正負又は両極性の実施のために,端子A (2) と端子B (4) とを入れ替えてはならない。
d) 供試品及びその他のテストジグに静電気帯電を残さないために,HBM単発パルスの印加期間後に10 ms
100 msの間,スイッチ (3) を閉じる。
注記1 HBM ESD電流波形発生装置の性能は,浮遊容量及びインダクタンスの影響を強く受ける。
注記2 HBM ESD電流波形発生装置の設計には,再帯電状態及び2重パルス印加を避けるように注意
することが望ましい。パルスを連続して印加する場合,完全に放電したあと,次のパルスを
印加する。
注記3 スイッチの直列抵抗は,デバイスの除電を遅くさせる。
図1−HBM ESD電流波形発生装置の等価回路及び校正用負荷
3.2 電流波形校正装置
3.2.1 一般事項
HBMに対するESD電流波形の校正について規定する。電流波形校正装置には,電流波形記録装置,高
電圧抵抗器及び電流トランスデューサを含むが,これらに限定しない。
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3
C 61340-3-1 : 2010 (IEC 61340-3-1 : 2006)
3.2.2 電流波形記録装置
電流波形記録装置のシングルショットの帯域幅は,350 MHz以上とする。
3.2.3 校正用負荷
HBM ESD電流波形発生装置を校正するためには,二つの負荷が必要である。
a) 負荷1 : 短絡線
b) 負荷2 : 波形検証に使用する電圧に対して,500 Ω±1 %の低インダクタンスの抵抗器
短絡線及び抵抗器のリード長は,できるだけ短くする。電流トランスデューサを通して図1の端子A及
び端子Bに接続する校正用負荷は同じ長さでなければならない。
3.2.4 電流トランスデューサ
電流トランスデューサの帯域幅は,350 MHz以上とする。
4 HBM電流波形への要求事項
4.1 一般的事項
供試品の試験前に,HBM ESD電流波形発生装置は短絡線及び抵抗負荷を通した電流波形が正常である
ことを確認する。短絡線でのESD電流波形は,表1に示すすべての正及び負の等価電圧に対して,図2
に示すとおりとする。抵抗器でのESD電流波形は,1 000 V及び−1 000 Vの等価電圧に対して,図3に示
すとおりとする。
4.2 電流波形の確認及び校正
試験装置は,最初の受入試験の間に確認しなければならない。ESD電流波形に影響を及ぼす可能性があ
る修理を施したときは,試験装置を再確認しなければならない。さらに,定期的に波形校正をしなければ
ならない。
供試品の試験に試験基板又は回路基板を用いる場合,試験基板は試験装置を確認するときに用いたもの
を使用する。電流波形が表1,図2及び図3と合致しない場合,直近の波形校正後に実施したすべてのESD
試験は無効とする。
表1−電流波形の仕様
Ips Ipr
電圧ストレス
短絡線でのピーク電流a)抵抗器 (500 Ω) におけるピーク電流 等価電圧
レベル
A A V
1 0.17 − 250
2 0.33 − 500
3 0.67 0.3750.550 1 000
4 1.33 − 2 000
5 2.67 − 4 000
6 5.33 − 8 000
注a) 許容値は,±10 %とする。
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JIS C 61340-3-1:2010の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 61340-3-1:2006(IDT)
JIS C 61340-3-1:2010の国際規格 ICS 分類一覧
- 17 : 度量衡及び測定.物理的現象 > 17.220 : 電気学.磁気学.電気的及び磁気的測定 > 17.220.99 : 電気及び磁気学に関するその他の規格