JIS C 5947:2005 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール測定方法

                                                                                   C 5947 : 2005

まえがき

  この規格は,工業標準化法に基づいて,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日
本工業規格である。
  制定に当たっては,日本工業規格(日本産業規格)と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格(日本産業規格)の作成及び日
本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,IEC 62007-2 : 1999,Semiconductor
optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 2 : Measuring methodsを基礎として用いた。
  この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会
は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新
案登録出願にかかわる確認について,責任はもたない。
  JIS C 5947には,次に示す附属書がある。
    附属書(参考) JISと対応する国際規格との対比表

(pdf 一覧ページ番号 1)

――――― [JIS C 5947 pdf 1] ―――――

C 5947 : 2005

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1. 適用範囲・・・・[1]
•  2. 引用規格・・・・[1]
•  3. 定義・・・・[1]
•  4. 測定の状態・・・・[1]
•  4.1 標準状態・・・・[1]
•  4.2 基準状態・・・・[2]
•  4.3 判定状態・・・・[2]
•  5. 測定用機器,装置及び記号・・・・[2]
•  5.1 測定用電源・・・・[2]
•  5.2 計器及び測定器・・・・[2]
•  5.3 光パワーメータ・・・・[2]
•  5.4 光スペクトラムアナライザ・・・・[2]
•  5.5 図記号・・・・[2]
•  6. 測定方法・・・・[2]
•  6.1 順電流・・・・[2]
•  6.2 順電圧・・・・[3]
•  6.3 逆電圧・・・・[3]
•  6.4 光ファイバ端出力・・・・[4]
•  6.5 しきい値電流・・・・[4]
•  6.6 スロープ効率・・・・[6]
•  6.7 縦モード間隔及び縦モード数・・・・[6]
•  6.8 ピーク発振波長・・・・[7]
•  6.9 中心波長,スペクトル幅及びスペクトル半値幅・・・・[8]
•  6.10 相対強度雑音・・・・[10]
•  6.11 トラッキングエラー・・・・[10]
•  6.12 キンクフリー光出力・・・・[11]
•  附属書(参考)JISと対応する国際規格との対比表・・・・[14]

――――― [JIS C 5947 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 5947 : 2005

光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール測定方法

Measuring methods of laser diode modules for optical fiber amplifier

序文

 この規格は,1999年に第1版として発行されたIEC 62007-2,Semiconductor optoelectronic devices for
fibre optic system applications−Part 2 : Measuring methodsを翻訳し,技術的内容を変更して作成した日本工
業規格である。
  なお,この規格で点線の下線を施してある箇所は,原国際規格を変更している事項である。変更の一覧
表をその説明を付けて,附属書(参考)に示す。

1. 適用範囲

 この規格は,光源として使用する光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール(以下,半
導体レーザモジュールという。)の測定方法について規定する。
    備考 この規格の対応国際規格を,次に示す。
            なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide 21に基づき,IDT(一致している),MOD
          (修正している),NEQ(同等でない)とする。
          IEC 62007-2 : 1999,Semiconductor optoelectronic devices for fibre optic system applications−Part 2 :
              Measuring methods (MOD)

2. 引用規格

 次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 0617(すべての部) 電気用図記号
    JIS C 1102-1 直動式指示電気計器 第1部 : 定義及び共通する要求事項
        備考 IEC 60051-1 : 1984[Amendment1 (1994) 及びAmendment 2 (1995) を含む。]Direct acting
              indicating analogue electrical measuring instruments and their accessories−Part 1 : Definitions and
              general requirements common to all partsが,この規格と一致している。
    JIS C 5946 光ファイバ増幅器用半導体レーザモジュール通則

3. 定義

 この規格で用いる主な用語の定義は,JIS C 5946による。

4. 測定の状態

4.1 標準状態

 測定は,規定がない限り,温度1535 ℃,相対湿度2585 %,気圧8601 060 hPaの
もとで行う。ただし,この標準状態での測定値の判定に疑義が生じた場合,又は特に要求された場合は,
4.3による。また,基準状態への換算を必要とする場合には,4.2による。
  なお,標準状態で測定することが困難の場合には,判定に疑義が生じない限り,標準状態以外の状態で

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C 5947 : 2005
測定を行ってもよい。

4.2 基準状態

 基準状態は,温度25 ℃,相対湿度45 %,気圧8601 060 hPaとする。ただし,温度だ
けをもって基準状態としてもよい。

4.3 判定状態

 判定状態は,温度25±2 ℃,相対湿度4555 %,気圧8601 060 hPaとする。

5. 測定用機器,装置及び記号

5.1 測定用電源

 直流電源はリプル含有率3 %以下,交流電源は高調波含有率5 %以下のものとする。た
だし,商用周波数の場合は,高調波含有率10 %以下とする。
  なお,特に交流出力を測定する試験では,直流電源のリプル含有率,交流電源の高調波含有率及び交流
の流れる直流電源回路の交流インピーダンスは,測定に影響を与えないように小さい値とする。また,サ
ージの侵入に対する十分な防護措置が施されていなければならない。

5.2 計器及び測定器

 規定がない限り,計器はJIS C 1102に規定する0.5級のもの,測定器はこれと同
等以上の精度をもつものとし,これらの入力インピーダンスは測定系への影響を無視できる値とする。
    備考 標準品として0.5級以上の計器又はこれに相当するような精度をもつ測定器がない場合は,5.2
          の規定は適用しない。

5.3 光パワーメータ

 測定に使用する光パワーメータは,該当する波長で校正し,かつ,測定する光入
力レベル範囲内で直線性が十分に確保されているものとする。また,被測定半導体レーザモジュールの出
力が,光パワーメータの測定レベル範囲の上限を超える可能性がある場合は,適切な光減衰器を使用して
測定する。

5.4 光スペクトラムアナライザ

 測定に使用する光スペクトラムアナライザは,該当する波長で,十分
なダイナミックレンジ(十分に低い迷光)と,横(波長)軸,縦(レベル)軸の確度 ,及び発振スペクト
ルを分離するのに十分な分解能をもつものとする。また,被測定半導体レーザモジュールの出力が,光ス
ペクトラムアナライザの測定レベル範囲の上限を超える可能性がある場合は,適切な光減衰器を使用して
測定する。

5.5 図記号

 この規格で用いる図記号は,JIS C 0617による。

6. 測定方法

6.1 順電流

 (If)
6.1.1  目的 規定された状態での,半導体レーザモジュールの順電流を測定することを目的とする。
6.1.2  測定回路 半導体レーザモジュールの順電流の測定は,図1によって次の方法で行う。
6.1.3  測定方法 半導体レーザモジュールに規定の光ファイバ端出力Pfを発生させ,そのときの順電流
Ifを測定する。
6.1.4  測定上の注意 半導体レーザモジュールにおいて相当程度の電力消費があり,それに伴う接合部温
度上昇が測定値に大きな影響を与える場合には,次のいずれかの方法によって行い,その方法を明記する。
a)) 直流を用い,温度安定に達した後測定する。ただし,温度安定に達しない場合は,規定の電圧を印加
    し始めた後,定められた時間に測定する。
b)) パルスを用いるか,又は接合部温度上昇が無視できるような短い時間で測定する。
      パルスを用いるときは,パルス幅及びデューティサイクルを明記する。
6.1.5  個別仕様書に規定すべき項目
a)) 動作温度Top

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                                                                                   C 5947 : 2005
b)) 光ファイバ端出力Pf
                                  図 1 順電流及び順電圧測定

6.2 順電圧

 (Vf)
6.2.1  目的 規定された状態での,半導体レーザモジュールの順電圧を測定することを目的とする。
6.2.2  測定回路 半導体レーザモジュールの順電圧の測定は,図1によって次の方法で行う。
6.2.3  測定方法 半導体レーザモジュールのレーザ素子端子間に規定の順電流Ifを流し,そのときの順電
圧Vfを測定する。
6.2.4  測定上の注意 半導体レーザモジュールにおいて相当程度の電力消費があり,それに伴う接合部温
度上昇が測定値に大きな影響を与える場合には,次のいずれかの方法によって行い,その方法を明記する。
a)) 直流を用い,温度安定に達した後,測定する。ただし,温度安定に達しない場合は,規定の電流を流
    し始めた後,定められた時間に測定する。
b)) パルスを用いるか又は接合部温度上昇が無視できるような短い時間で測定する。
      パルスを用いるときは,パルス幅及びデューティサイクルを明記する。
6.2.5  個別仕様書に規定すべき項目
a)) 動作温度Top又はTop (sub)
b)) 順電流If又は光ファイバ端出力Pf

6.3 逆電圧

 (Vr)
6.3.1  目的 規定された状態での,半導体レーザモジュールの逆電圧を測定することを目的とする。
6.3.2  測定回路 半導体レーザモジュールの逆電圧の測定は,図2によって6.3.3の方法で行う。
6.3.3  測定方法 半導体レーザモジュールのレーザ素子端子間に規定の逆電流Irを流し,そのときの逆電
圧Vrを測定する。
6.3.4  測定上の注意 半導体レーザモジュールにおいて相当程度の電力消費があり,それに伴う接合部温
度上昇が測定値に大きな影響を与える場合には,次のいずれかの方法によって行い,その方法を明記する。
a)) 直流を用い,温度安定に達した後,測定する。ただし,温度安定に達しない場合は,規定の電流を流
    し始めた後,定められた時間に測定する。
b)) パルスを用いるか又は接合部温度上昇が無視できるような短い時間で測定する。パルスを用いるとき
    は,パルス幅及びデューティサイクルを明記する。
6.3.5  個別仕様書に規定すべき項目
a)) 動作温度Top

――――― [JIS C 5947 pdf 5] ―――――

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