この規格ページの目次
JIS C 7030:1993 規格概要
この規格 C7030は、電子装置に用いるバイポーラトランジスタ及び電界効果トランジスタの電気的性能の測定方法について規定。
JISC7030 規格全文情報
- 規格番号
- JIS C7030
- 規格名称
- トランジスタ測定方法
- 規格名称英語訳
- Measuring methods for transistors
- 制定年月日
- 1961年6月1日
- 最新改正日
- 2019年10月21日
- JIS 閲覧
- ‐
- 対応国際規格
ISO
- IEC 60747-7:1988(NEQ), IEC 60747-8:1984(NEQ)
- 国際規格分類
ICS
- 31.080.30
- 主務大臣
- 経済産業
- JISハンドブック
- 電子 III-1 2020, 電子 III-2 2020
- 改訂:履歴
- 1961-06-01 制定日, 1962-06-01 確認日, 1967-12-01 改正日, 1970-12-01 確認日, 1973-12-01 改正日, 1977-01-01 確認日, 1980-01-01 確認日, 1986-07-01 確認日, 1993-02-01 改正日, 1999-06-20 確認日, 2004-03-20 確認日, 2009-10-01 確認日, 2014-10-20 確認日, 2019-10-21 確認
- ページ
- JIS C 7030:1993 PDF [79]
C 7030-1993
pdf 目次
ページ
- 1. 適用範囲・・・・[1]
- 2. 使用図記号・・・・[1]
- 3. 測定用電源及び計器・・・・[1]
- 3.1 測定用電源・・・・[1]
- 3.2 計器・・・・[1]
- 4. 基準測定条件・・・・[2]
- 4.1 温度及び湿度・・・・[2]
- 4.2 測定周波数・・・・[2]
- 4.3 信号振幅・・・・[2]
- 4.4 理想電圧源及び理想電流源・・・・[2]
- 4.5 パルス条件・・・・[2]
- 4.6 開路及び閉路・・・・[2]
- 5. 測定上の注意事項・・・・[2]
- 5.1 最大定格の遵守・・・・[2]
- 5.2 着脱時の注意・・・・[2]
- 5.3 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの取扱い・・・・[2]
- 5.4 温度安定(熱的平衡)条件・・・・[3]
- 5.5 パルス測定・・・・[3]
- 5.6 測定回路・・・・[3]
- 6. 測定方法・・・・[3]
- 6.1 バイポーラトランジスタの測定方法・・・・[3]
- 6.1.1 コレクタ電流測定(直流方法)・・・・[3]
- 6.1.2 コレクタ電流測定(パルス方法)・・・・[4]
- 6.1.3 エミッタ電流測定(直流方法)・・・・[4]
- 6.1.4 エミッタ電流測定(パルス方法)・・・・[4]
- 6.1.5 ベース電流測定(直流方法)・・・・[5]
- 6.1.6 ベース電流測定(パルス方法)・・・・[5]
- 6.1.7 コレクタ・エミッタ間遮断電流測定・・・・[6]
- 6.1.8 コレクタ・ベース間遮断電流測定・・・・[7]
- 6.1.9 エミッタ・ベース間遮断電流測定・・・・[7]
- 6.1.10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定(直流方法)・・・・[8]
- 6.1.11 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定(パルス方法)・・・・[9]
- 6.1.12 ベース・エミッタ間飽和電圧測定(直流方法)・・・・[9]
- 6.1.13 ベース・エミッタ間飽和電圧測定(パルス方法)・・・・[10]
- 6.1.14 ベース・エミッタ間電圧測定・・・・[11]
(pdf 一覧ページ番号 )
――――― [JIS C 7030 pdf 1] ―――――
C 7030-1993
pdf 目次
- 6.1.15 直流電流増幅率測定(直流方法)・・・・[11]
- 6.1.16 直流電流増幅率測定(パルス方法)・・・・[12]
- 6.1.17 閉路小信号入力インピーダンス測定・・・・[12]
- 6.1.18 閉路小信号順電流増幅率測定・・・・[14]
- 6.1.19 開路小信号逆電圧増幅率測定・・・・[15]
- 6.1.20 開路小信号出力アドミタンス測定・・・・[16]
- 6.1.21 閉路小信号順電流増幅率遮断周波数測定・・・・[18]
- 6.1.22 出力静電容量測定・・・・[20]
- 6.1.23 入力静電容量測定・・・・[22]
- 6.1.24 ベース時定数測定・・・・[22]
- 6.1.25 ベース抵抗測定・・・・[24]
- 6.1.26 トランジション周波数測定・・・・[24]
- 6.1.27 スキャッタリングパラメータ測定・・・・[26]
- 6.1.28 低周波電力利得測定・・・・[29]
- 6.1.29 高周波電力利得測定・・・・[30]
- 6.1.30 変換電力利得測定・・・・[31]
- 6.1.31 低周波雑音電圧測定・・・・[33]
- 6.1.32 低周波雑音指数測定・・・・[34]
- 6.1.33 高周波雑音指数測定・・・・[37]
- 6.1.34 発振電圧測定・・・・[39]
- 6.1.35 発振電力測定・・・・[39]
- 6.1.36 全高調波ひずみ率測定・・・・[40]
- 6.1.37 相互変調ひずみ測定・・・・[41]
- 6.1.38 スイッチング時間測定・・・・[42]
- 6.1.39 熱抵抗測定・・・・[44]
- 6.2 電界効果トランジスタの測定方法・・・・[46]
- 6.2.1 ゲート・ソース間遮断電流測定 (A)・・・・[46]
- 6.2.2 ゲート・ドレイン間遮断電流測定 (A)・・・・[47]
- 6.2.3 ドレイン・ソース間遮断電流測定 (A, B, C)・・・・[48]
- 6.2.4 ゲート・ソース間漏れ電流測定 (B, C)・・・・[48]
- 6.2.5 ゲート・ドレイン間漏れ電流測定 (B, C)・・・・[49]
- 6.2.6 カットオフ電圧測定 (A, B)・・・・[50]
- 6.2.7 しきい値電圧測定 (C)・・・・[51]
- 6.2.8 ドレイン電流測定 (A, B, C)・・・・[51]
- 6.2.9 小信号順伝達アドミタンス測定 (A, B, C)・・・・[52]
- 6.2.10 小信号出力アドミタンス測定 (A, B, C)・・・・[53]
- 6.2.11 小信号入力静電容量測定 (A, B, C)・・・・[54]
- 6.2.12 小信号帰還静電容量測定 (A, B, C)・・・・[55]
- 6.2.13 小信号出力静電容量測定 (A, B, C)・・・・[56]
- 6.2.14 スキャッタリングパラメータ測定 (A, B, C)・・・・[57]
(pdf 一覧ページ番号 )
――――― [JIS C 7030 pdf 2] ―――――
C 7030-1993
pdf 目次
- 6.2.15 入力換算雑音電圧測定 (A, B, C)・・・・[57]
- 6.2.16 低周波雑音指数測定 (A, B, C)・・・・[58]
- 6.2.17 高周波雑音指数測定 (A, B, C)・・・・[59]
- 6.2.18 高周波電力利得測定 (A, B, C)・・・・[59]
- 6.2.19 発振電力測定 (A, B, C)・・・・[60]
- 6.2.20 相互変調ひずみ測定 (A, B, C)・・・・[60]
- 6.2.21 オン抵抗測定 (A, B, C)・・・・[60]
- 6.2.22 オフ抵抗測定 (A, B, C)・・・・[61]
- 6.2.23 スイッチング時間測定 (A, B, C)・・・・[62]
- 6.2.24 チャネル温度測定 (A, B, C)・・・・[63]
- 附属書 最大定格を超える可能性がある測定及び試験・・・・[65]
- 1. 適用範囲・・・・[65]
- 2. 測定及び試験・・・・[65]
- 2.1 バイポーラトランジスタ・・・・[65]
- 2.1.1 コレクタ・エミッタ間サステイニング電圧試験・・・・[65]
- 2.1.2 安全動作領域試験(過渡熱抵抗方法)・・・・[66]
- 2.1.3 安全動作領域試験(順方向)・・・・[67]
- 2.1.4 安全動作領域試験(スイッチング方法)・・・・[67]
- 2.1.5 コレクタ・エミッタ間降伏電圧測定・・・・[68]
- 2.1.6 コレクタ・ベース間降伏電圧測定・・・・[69]
- 2.1.7 エミッタ・ベース間降伏電圧測定・・・・[70]
- 2.2 電界効果トランジスタ・・・・[70]
- 2.2.1 安全動作領域試験(順方向) (A, B, C)・・・・[70]
- 2.2.2 安全動作領域試験(逆方向) (A, B, C)・・・・[71]
- 2.2.3 ゲート・ソース間電圧測定 (A)・・・・[73]
- 2.2.4 ゲート・ドレイン間電圧測定 (A)・・・・[73]
- 2.2.5 ドレイン・ソース間電圧測定 (A, B, C)・・・・[74]
(pdf 一覧ページ番号 )
――――― [JIS C 7030 pdf 3] ―――――
日本工業規格(日本産業規格) JIS
C 7030-1993
トランジスタ測定方法
Measuring methods for transistors
1. 適用範囲
この規格は,電子装置に用いるバイポーラトランジスタ及び電界効果トランジスタ(以下,
両者を区別しないときには,単にトランジスタという。)の電気的性能の測定方法について規定する。
備考1. この規格の引用規格を,次に示す。
JIS C 0301 電気用図記号
JIS C 1102 指示電気計器
2. この規格の対応国際規格を,次に示す。
Semiconductor discrete devices and integrated circuits
IEC 747-7 (1988)
Part 7 : Bipolar transistors
IEC 747-8 (1984) Semiconductor devices, Discrete devices
Part 8 : Field-effect transistors
2. 使用図記号
この規格で用いる測定回路図の図記号は,JIS C 0301の規定によるほか,表1による。
表1
図記号 名称 図記号 名称
二現象オシロ 電流プローブ
スコープ
3. 測定用電源及び計器
3.1 測定用電源
直流電源はリプル含有率3%以下,交流電源は高調波含有率5%以下のものを使用する。
ただし,商用周波数の場合は10%以下のものを使用する。交流特性の測定では,直流電源のリプル含有率
と交流電源の高調波含有率及び交流の流れる直流電源回路の交流インピーダンスは,測定に影響を与えな
い小さいものを使用する。
また,交流電圧・交流電流の値は,規定がない限り実効値で表す。
3.2 計器
直流及び交流の電圧計,電流計などは,規定がない限りJIS C 1102に規定の0.5級とし,平
等目盛の計器では最大目盛が測定値の10倍以内のものを,ゼロ付近で目盛の縮小する計器では最大目盛が
測定値の4倍以内のものを使用する。ただし,測定値とは,規格に最大値のあるものは最大値,最小値だ
けが規定してあるものは最小値をいう。
なお,次の場合には0.5級でなくてもよい。
(1) 0.5級と同等又はそれ以下の許容差をもった計器である場合。
――――― [JIS C 7030 pdf 4] ―――――
2
C 7030-1993
(2) 測定結果に重大な影響を与えない場合。
また,パルスを検出する計器は,規定のパルス条件に十分追従できるものを用いることとする。計
器の内部インピーダンス及び雑音は,測定系への影響が十分無視できるものでなければならない。
4. 基準測定条件
4.1 温度及び湿度
温度及び湿度は,次による。
(1) 基準温度 基準温度は,25℃とする。
(2) 基準湿度 基準湿度は,相対湿度45%とする。
(3) 測定温度 測定温度は,供試トランジスタへ直接送風しない状態の周囲温度とし,25±3℃とする。
(4) 測定湿度 測定湿度は,相対湿度75%以下とする。
4.2 測定周波数
低周波パラメータの測定周波数は,270±30Hz又は1 000±50Hzとする。ただし,相
関性を示すことができる場合は,他の周波数を使用してもよい。
4.3 信号振幅
交流パラメータの測定では,規定がない限り小(振幅)信号を用いることとする。
備考 小(振幅)信号とは,その信号の振幅を21に減少しても,測定値に計器の許容差以上の変動を
生じさせない信号をいう。
4.4 理想電圧源及び理想電流源
理想電圧源及び理想電流源は,次による。
(1) 理想電圧源 ここで使用する理想電圧源は,その負荷インピーダンスを21に減少しても,測定値に
計器の許容差以上の変動を生じさせないものとする。ただし,実際の測定で,供試トランジスタを破
壊するおそれがある場合は,電流制限機能付電圧源を用いるか,又は電圧源と直列に保護抵抗器を入
れる。
(2) 理想電流源 ここで使用する理想電流源は,その負荷インピーダンスを2倍に増加しても,測定値に
計器の許容差以上の変動を生じさせないものとする。ただし,実際の測定で,供試トランジスタを破
壊するおそれがある場合は,電圧制限機能付電流源を用いる。
4.5 パルス条件
パルス幅及びデューティファクタは,規定がない限り,それらをそれぞれ2倍しても,
測定値に計器の許容差以上の変動を生じさせないよう選定する。
4.6 開路及び閉路
開路及び閉路は,次による。
(1) 開路 開路は,その終端インピーダンスを21に減少しても,測定値に計器の許容差以上の変動を生じ
させない回路とする。
(2) 閉路 閉路は,その終端インピーダンスを2倍に増加しても,測定値に計器の許容差以上の変動を生
じさせない回路とする。
5. 測定上の注意事項
5.1 最大定格の遵守
供試トランジスタは,過渡状態を含めいかなるときにも,最大定格を超えること
があってはならない。ただし,最大定格を超えた範囲の測定については,附属書による。
5.2 着脱時の注意
供試トランジスタは,電源印加中に着脱してはならない。
5.3 絶縁ゲート形電界効果トランジスタの取扱い
絶縁ゲート形電界効果トランジスタを静電気による
破損から防ぐために,次の注意事項を守らなければならない。
(1) 輸送,保存及び放置の際は,静電気導電材料,帯電防止処理材料などを用い,静電気の帯電を防止す
る。
(2) 測定は,静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は,50%程度が望ましい。
――――― [JIS C 7030 pdf 5] ―――――
次のページ PDF 6
JIS C 7030:1993の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60747-7:1988(NEQ)
- IEC 60747-8:1984(NEQ)