JIS C 8953:2006 結晶系太陽電池アレイ出力のオンサイト測定方法

                                                                                   C 8953 : 2006

まえがき

  この規格は,工業標準化法に基づいて,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日
本工業規格である。
  これによって,JIS C 8953:1993は改正され,この規格に置き換えられる。
  改正に当たっては,日本工業規格(日本産業規格)と国際規格との対比,国際規格に一致した日本工業規格(日本産業規格)の作成及び日
本工業規格を基礎にした国際規格原案の提案を容易にするために,IEC 61829:1995,Crystalline silicon
photovoltaic (PV)   rray−On-site measurements of I-V characteristicsを基礎として用いた。
  この規格の一部が,技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の
実用新案登録出願に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会
は,このような技術的性質をもつ特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権,又は出願公開後の実用新
案登録出願にかかわる確認について,責任はもたない。
  JIS C 8953 : 2005には,次に示す附属書がある。
    附属書1(参考)JISと対応する国際規格との対比表

(pdf 一覧ページ番号 1)

――――― [JIS C 8953 pdf 1] ―――――

C 8953 : 2006

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1. 適用範囲・・・・[1]
•  2. 引用規格・・・・[1]
•  3. 定義・・・・[1]
•  4. 測定の状態・・・・[2]
•  5. 測定機器・・・・[2]
•  5.1 測定機器一般・・・・[2]
•  5.2 裏面温度計測法に用いる機器・・・・[2]
•  5.3 気温計測法に用いる機器・・・・[2]
•  6. I-V特性測定方法・・・・[2]
•  6.1 裏面温度計測法・・・・[2]
•  6.2 気温計測法・・・・[6]
•  7. 測定データの補正項目・・・・[7]
•  附属書1(参考)JISと対応する国際規格との対比表・・・・[9]

――――― [JIS C 8953 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 8953 : 2006

結晶系太陽電池アレイ出力のオンサイト測定方法

On-site measurements of crystalline photovoltaic array I-V characteristics

序文

 この規格は,1995年に第1版として発行されたIEC 61829,Crystalline silicon photovoltaic (PV)   rray
−On−site measurements of I-V characteristicsを元に,対応する部分については対応国際規格を翻訳し,技術
的内容を変更することなく作成した日本工業規格(日本産業規格)であるが,対応国際規格には規定されていない規定項目
を日本工業規格(日本産業規格)として追加している。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,原国際規格にない事項である。変更の一覧
表をその説明を付けて,附属書1(参考)に示す。

1. 適用範囲

 この規格は,同一形式の結晶系シリコン太陽電池モジュール(以下,モジュールという。)
で構成され,すべてのモジュールが同一方位・同一傾斜角の太陽電池アレイ(以下,アレイという。)のオ
ンサイトにおける電流−電圧特性(以下,I−V特性という。)の測定方法について規定する。
    備考1. アモルファス,建材一体形アレイ及び集光形アレイは除く。
        2. この規格の対応国際規格を,次に示す。
              なお,対応の程度を表す記号は,ISO/IEC Guide21に基づき,IDT(一致している),MOD
            (修正している),NEQ(同等でない)とする。
              IEC 61829:1995,Crystalline silicon photovoltaic (PV)   rray−On-site measurements of I-V
                   characteristics (MOD)

2. 引用規格

 次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 1102-2 直動式指示電気計器 第2部 : 電流計及び電圧計に対する要求事項
    JIS C 8913 結晶系太陽電池セル出力測定方法
     備考 IEC 60904-1:1987 Photovoltaic devices−Part1 : Measurements of photovoltaic current-voltage
            characteristics(MOD)
    JIS C 8914 結晶系太陽電池モジュール出力測定方法
     備考 IEC 60891:1987 Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V
              characteristics of crystalline silicon photovoltaic devices (MOD)及び Amendment 1−Part1
              (1992)(MOD)
    JIS C 8960 太陽光発電用語
    ISO 9060 Solar energy−Specification and classification instruments for measuring hemispherical solar and
        direct solar radiation
    IEC 60904-2 Photovoltaic devices−Part2 : Requirements for reference solar cells

――――― [JIS C 8953 pdf 3] ―――――

2
C 8953 : 2006
    IEC 60904-6 Photovoltaic devices−Part 6: Requirements for reference solar modules

3. 定義

 この規格で用いる主な用語の定義は,JIS C 8960によるほか,次による。
a) 受渡試験条件 セル温度,気温,傾斜面日射強度,大気条件などをアレイの受渡試験用に決めた基準
    値。ただし,この規格では,通常,標準試験条件と同じとする。

4. 測定の状態

 アレイの測定は,次の条件で行う。ただし,測定結果として用いる場合は,受渡試験条
件への換算を行う。
a) アレイ表面の汚れ 被測定アレイの表面を清浄にする。ただし,洗浄が困難で実施できない場合は“洗
    浄なし”,目視によって汚れが確認できる場合は“汚れあり”と報告書に記載する。
b) 測定条件
  1) アレイ傾斜角度 被測定アレイ及び基準太陽電池モジュール(以下,基準モジュールという。)は,
      ±2 ゜で傾斜角度が一致していなければならない。
  2) 日射条件 アレイ面の日射強度は,700 W・m−2以上とする。また,直達光は,被測定アレイの面の
      法線方向に対し45 ゜以内とする。
  3) 測定時間帯 測定時間帯は,アレイ面の方位が南の場合は南中時の±1時間とし,南以外の場合は
      方位に応じて適切な時間帯を選ぶ。
  4) アレイの状態 被測定アレイを蓄電池及びパワーコンディショナから切り離す。
        なお,アレイ面には部分影があってはならない。

5. 測定機器

5.1 測定機器一般

 各測定に共通して用いる機器は,次による。
a) 基準モジュール IEC 60904-2又はIEC 60904-6に規定する校正方法で校正した測定対象となるアレ
    イに用いられているモジュールと同一形式のモジュール。
b) 傾度計測器具 基準モジュール及び被測定アレイが±2 °の正確さで同一平面上にあるかどうかを調
    べることができる器具(又は方法)。
c) 電圧計及び電流計 JIS C 8913の4.(1)及び(4)に規定する測定器。
d) 可変負荷 被測定アレイの出力に対応する抵抗負荷及び電子負荷。ただし,高出力アレイに対しては
    キャパシタンス負荷も用いることができる。
e) メモリスコープ I−V特性曲線及びトレースのための,適切なメモリスコープ又は同等品。
f)  放射計 アレイ面の日射強度を計測するための放射計。ISO 9060に規定する1級(1st class)又はこ
    れと同等品以上。

5.2 裏面温度計測法に用いる機器

 裏面温度計測に用いる機器は,次による。
a) 温度計 ±1 ℃の正確さをもつ裏面温度計測用の計器。
b) 電圧計及び電流計 JIS C 1102-2に規定する0.5級又はこれと同等以上の正確さをもち,基準モジュー
    ルの短絡電流及び開放電圧を計測できる計器。

5.3 気温計測法に用いる機器

 気温計測には,±1 ℃の正確さの温度計測用の計器を用いる。

6. I-V特性測定方法

 I−V特性の測定は,通常,アレイ全体を一括で行うが,技術的に不可能な場合
はストリング単位で分割測定を行い,測定値を合算してアレイ全体の出力とする。

6.1 裏面温度計測法

 裏面温度を計測してI−V特性を測定する方法の手順の流れは,図1による。

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                                                                                   C 8953 : 2006
                                   図1 裏面温度計測法の手順

――――― [JIS C 8953 pdf 5] ―――――

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