JIS R 1641:2007 ファインセラミックス基板のマイクロ波誘電特性の測定方法

                                                                                   R 1641 : 2007

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,社団法人日本ファ
インセラミックス協会 (JFCA)/財団法人日本規格協会 (JSA) から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)
を改正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)
である。
  これによって,JIS R 1641 : 2002は改正され,この規格に置き換えられる。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許
権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に係る確認について,責任は
もたない。

――――― [JIS R 1641 pdf 1] ―――――

R 1641 : 2007

pdf 目 次

ページ

•  1. 適用範囲・・・・[1]
•  2. 引用規格・・・・[1]
•  3. 定義・・・・[1]
•  4. 測定項目・・・・[2]
•  5. 測定原理・・・・[2]
•  6. 試験場所の標準状態・・・・[3]
•  7. 装置及びジグ・・・・[4]
•  7.1 装置・・・・[4]
•  7.2 ジグ・・・・[5]
•  7.3 ノギス・・・・[7]
•  7.4 マイクロメータ・・・・[7]
•  8. 空洞共振器の寸法D,Hの設計・・・・[7]

9. 空洞共振器の寸法D,H及び比導電率     r
                                            湮    定  8

•  9.1 測定条件・・・・[8]
•  9.2 測定手順・・・・[9]
•  9.3 空洞共振器の寸法D,Hの計算・・・・[11]

9.4 空洞共振器の無負荷Q (Qu) 及び比導電率   r
                                                      算  11
10. 試験試料の比誘電率           及び誘電正接tan     湮      定 12

•  10.1 試験試料・・・・[12]
•  10.2 共振周波数f0の推定・・・・[12]
•  10.3 測定手順・・・・[13]

10.4 比誘電率             の計算 13
10.5 比誘電率            の誤差の計算 14
10.6 誘電正接tan                 算 14
10.7 誘電正接tan                差の計算 16
11. 空洞共振器の線膨張係数α及び比抵抗率の温度係数TC          ‰湮     定 18

•  11.1 測定条件・・・・[18]
•  11.2 測定手順・・・・[19]
•  11.3 空洞共振器の線膨張係数αの計算・・・・[19]

11.4 空洞共振器の比抵抗率の温度係数TC           ‰        算 19
12. 試験試料の比誘電率          及び誘電正接tan    湮       依存性の測定 20

•  12.1 測定条件・・・・[20]
•  12.2 手順・・・・[20]

12.3 試験試料のTC         攀‰       算 20
12.4 試験試料のtan       湮        依存性の測定 20

――――― [JIS R 1641 pdf 2] ―――――

                                                                                   R 1641 : 2007

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•  13. 報告・・・・[20]

――――― [JIS R 1641 pdf 3] ―――――

R 1641 : 2007
                                           白    紙

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                                                                                JIS C 0068 : 1995
                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              R 1641 : 2007

ファインセラミックス基板のマイクロ波誘電特性の測定方法

Measurement method for dielectric of fine ceramic plates at microwave frequency

1. 適用範囲

 この規格は,主にマイクロ波回路に用いる誘電体基板用ファインセラミックス材料の,マ
イクロ波帯における誘電特性の測定方法について規定する。

2. 引用規格

 次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成す
る。これらの引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS B 0601 製品の幾何特性仕様 (GPS)−表面性状 : 輪郭曲線方式−用語,定義及び表面性状パラメ
        ータ
    JIS B 7502 マイクロメータ
    JIS B 7507 ノギス
    JIS R 1600 ファインセラミックス関連用語
    IEC 60028 International standard of resistance for copper

3. 定義

 この規格で用いる主な用語の定義は,JIS R 1600によるほか,次による。
                 r  攀    complex relative permittivity) ベクトル表示による交流電界の強さE (V/m) と交流
a) 複素比誘電率
    電束密度D (C/m) との複素比を,真空の誘電率0ε (=8.854 2×10−12 F/m) で除した値。
                             D
                          r       (1)
                             0E
      複素比誘電率の実数成分を                                    
                                     (比誘電率という),虚数成分を       とすると,r  潟    2)で表される。
                          r     j    (2)
b) 誘電正接tan         loss factor) 誘電体損失角δの正接。複素比誘電率の実数成分及び虚数成分を使うと,
    tanδは式(3)で表される。
                         tan     /    (3)
c) 比誘電率の温度係数 TC  攀     temperature coefficient of relative permittivity) 比誘電率の温度による変化率
    を,対応する温度の変化分で除した値。
                                 T  ref    6
                        TC               10  (ppm/℃)  (4)
                                 T
                               ref  Tref
                      ここに,            T :  温度Tにおける比誘電率
                                         ref :  基準温度Trefにおける比誘電率

――――― [JIS R 1641 pdf 5] ―――――

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