電子技術基本用語集

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ, HBT

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Glossary of basic terms used in electrotechnology

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規格 JISC5600:2006
JIS C 5600:2006
用語
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ, HBT
定義
エミッタにバンドギャップの広い半導体を用い,ベース・エミッタヘテロ接合に形成された電位障壁を利用することで,ベースからエミッタへの少数キャリヤ注入を抑制して,エミッタ効率を 1 に 近付け,高い電流増幅率を実現したバイポーラトランジスタ。 参考 例えば,ベースにGaAsを,エミッタにはベースより広いバンドギャップをもつAlGaAs半導体を用いることで,ベース抵抗とベース・エミッタとの間の接合容量が小さなトランジスタを実現できる。高周波性能,温度特性などの面で優れている。
対応英語(参考)
heterojunction bipolar transistor, HBT

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